ミクロの世界から、大きな革新を。

Huge Innovations from the Micro World.

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お知らせ

  • 次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター開所記念シンポジウムを開催

  • 公式ホームページ開設

  • 極微デバイス次世代材料研究センターと窒化物半導体マルチビジネス創生センターを統合し、新たに次世代半導体エレクトロニクス共創研究センターを発足

about us

センターについて

次世代半導体エレクトロニクス
共創研究センターとは?

次世代半導体エレクトロニクス共創研究センターは、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、グラフェンなどの次世代半導体による材料・デバイス技術とその応用システムの研究開発と社会実装、さらには次世代半導体産業を担う高度人材育成を一体的に推進するために設立された共創研究拠点です。
本学の強みとしていたGaN系半導体を核に、パワーエレクトロニクス・情報通信・光応用技術などの研究開発を加速させると同時に、材料・デバイス開発からシステム開発までの機能一元化と産学官連携の強化を図る事で、半導体応用技術による社会実装、特に、持続可能なエネルギー社会の構築やスマートグリッド・電気自動車・光通信技術への応用を視野に入れた社会課題の解決に貢献することを目指します。
また、次世代の半導体技術者・研究者の育成に注力し、最先端の半導体科学・技術を習得できる教育プログラムを提供、これにより半導体産業の発展を支える人材を輩出し、我が国のイノベーションの加速に貢献します。

センター概要パンフレット (5MB)

名古屋工業大学は中部経済産業局事業『中部地域 半導体人材育成プログラム』に参画し、半導体人材育成に取り組んでいます。
出典:経済産業省 中部経済産業局
「中部地域半導体人材育成プログラム」及び「業界PRパンフレット」を作成しました

センターについてのグループ紹介の画像。「システム開発・ビジネス共創グループ」「次世代材料・デバイス研究グループ」「教育・人材育成グループ」の3つのグループが紹介しています

センター長 挨拶

「次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター」は、本学がこれまで運営してきた「極微デバイス次世代材料研究センター」と「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」の機能を集約・統合して新たに発足した研究開発拠点です。
この統合により、二つのセンターで培ってきたGaN系半導体をはじめとする材料・デバイス技術とそれを活用した革新的応用システムの研究開発を一層推進し、産学官が一体となって未来社会の持続可能な発展に貢献することを目的としています。
また、本センターを拠点として、半導体分野に精通する高度人材の育成・輩出にこれまで以上に貢献する事で大学としての役割を果たしていきたいと考えています。

2026年4月1日 三好 実人

ABOUT US

About the Innovative Common Research Center for Advanced Semiconductor Electronics

The Innovative Common Research Center for Advanced Semiconductor Electronics is a collaborative research hub established to promote the integrated advancement of research and development, social implementation, and advanced human resource development in next-generation semiconductor materials, device technologies, and applied systems, including gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), gallium oxide (Ga2O3), and graphene.
Building on the university’s strengths in GaN-based semiconductors, the center accelerates research and development in areas such as power electronics, information and communication technologies, and photonic applications. By integrating functions from materials and device development through to system development, and by strengthening collaboration among industry, academia, and government, the center aims to contribute to the social implementation of semiconductor application technologies. In particular, it seeks to address societal challenges through applications in sustainable energy systems, smart grids, electric vehicles, and optical communications.
The center also focuses on developing the next generation of semiconductor engineers and researchers by providing educational programs that enable students and researchers to acquire cutting-edge knowledge and skills in semiconductor science and technology. Through these efforts, the center contributes to fostering talent that will support the growth of the semiconductor industry and accelerate innovation in Japan.

Center Overview Brochure (5MB)

センターについてのグループ紹介の画像。「システム開発・ビジネス共創グループ」「次世代材料・デバイス研究グループ」「教育・人材育成グループ」の3つのグループが紹介しています

Director’s Message

The Innovative Common Research Center for Advanced Semiconductor Electronics is a research and development hub newly established through the integration of the Research Center for Nano Devices and Advanced Materials and the Innovation Center for Multi-Business of Nitride Semiconductors, both of which have been operated by Nagoya Institute of Technology.
Through this integration, the Center aims to further advance research and development of GaN-based semiconductor materials and device technologies developed by the two former centers, as well as innovative application systems utilizing these technologies, in collaboration with industry, academia, and government, thereby contributing to the sustainable development of society.
In addition, the Center aspires to further fulfill the university’s mission by serving as a hub for the education and development of highly skilled professionals with advanced expertise in the semiconductor field.

April 1, 2026 Mikito Miyoshi

システム開発・ビジネス共創グループ

目的

次世代半導体とその応用技術による社会実装と産業連携を推進。研究成果を社会に還元し、持続可能な技術革新を実現するための『技術の橋渡し』を行う

役割・機能

研究成果のビジネス展開を通じ、企業や研究機関との協力を強化する。活動拠点として、附属の共同利用施設である56号館(旧 窒化物半導体マルチビジネス創生センター)のクリーンルーム、研究設備、企業オフィスを運営・利用する

主なミッション

次世代材料の創製とデバイス開発
  • 次世代半導体とその応用技術による社会実装を加速し、企業との共同研究や技術移転を推進
  • スタートアップや企業との協力を通じて、新たな市場創出を支援
社会実装と持続可能な技術開発
  • 半導体技術を活用したエネルギー効率向上や環境負荷低減を目指す
  • スマートグリッド、電気自動車、光通信などの分野での応用を促進
国際連携の推進
  • 海外の研究機関との協力を強化し、グローバルな技術競争力を向上
  • 国際的な技術標準の策定や共同プロジェクトの推進

Systems & Business Co-Creation Group

Purpose

To promote the social implementation of next-generation semiconductors and their applied technologies, while strengthening collaboration with industry.
The group acts as a bridge between research and society, facilitating the transfer of technology and contributing to sustainable innovation.

Roles and Functions

We strengthen collaboration with companies and research institutions by translating research results into business opportunities. As our base of operations, we manage and utilize the cleanrooms, research facilities, and corporate offices within Building 56—an affiliated joint-use facility (formerly the Nitride Semiconductor Multi-Business Creation Center).

Main Missions

Strengthening Collaboration with Industry
  • Accelerate the social implementation of next-generation semiconductors and their applied technologies, and promote joint research and technology transfer with companies.
  • Support the creation of new markets through collaboration with startups and companies.
Social Implementation and Sustainable Technology Development
  • Aim to improve energy efficiency and reduce environmental impact through the use of semiconductor technologies.
  • Promote applications in fields such as smart grids, electric vehicles, and optical communications.
Promotion of International Collaboration
  • Strengthen cooperation with overseas research institutions and enhance global technological competitiveness.
  • Promote the development of international technical standards and joint projects.

次世代材料・デバイス研究グループ

目的

次世代半導体の要素技術・基礎的技術の開発を推進する事で、材料・デバイスの技術革新を牽引し、以て持続可能な社会の実現に貢献する

役割・機能

次世代半導体の要素技術・基礎的技術の開発を推進する。特に、ワイドギャップ半導体・量子半導体・先端デバイス技術など、次世代のエレクトロニクスを支える革新的材料およびデバイス技術の研究開発を行う

主なミッション

次世代材料の創製とデバイス開発
  • 窒化ガリウム (GaN)、酸化ガリウム (Ga₂O₃) など次世代半導体材料の創製と先端デバイス開発
  • 次世代のパワー&高周波エレクトロニクス・光応用技術に資する半導体材料・デバイスの探索的研究
市場ニーズの分析と戦略策定
  • 次世代半導体とその応用技術の市場動向を把握し、研究開発の方向性を最適化
  • 企業の技術課題を解決するためのソリューション提案を実施

Advanced Materials & Devices Research Group

Purpose

To drive technological innovation in materials and devices by promoting the development of elemental and fundamental technologies for next-generation semiconductors, thereby contributing to the realization of a sustainable society.

Roles and Functions

Promoting the development of elemental and fundamental technologies for next-generation semiconductors. Specifically, the group conducts R&D on innovative materials and device technologies that will support the future of electronics, such as wide-bandgap semiconductors, quantum semiconductors, and advanced device technologies.

Main Missions

Creation of Next-Generation Materials and Device Development
  • Creation of advanced semiconductor materials, such as Gallium Nitride (GaN) and Gallium Oxide (Ga2O3), and development of advanced devices.
  • Exploratory research into semiconductor materials and devices that contribute to next-generation power electronics, high-frequency electronics, and optical application technologies.
Market Needs Analysis and Strategy Formulation
  • Optimizing the direction of R&D by identifying market trends in advanced semiconductors and their application technologies.
  • Providing solution proposals to address technical challenges faced by private-sector companies.

教育・人材育成グループ

目的

次世代半導体とその応用技術の発展を支える人材を育成し、持続可能な社会の実現に貢献する

役割・機能

半導体エレクトロニクスとその応用技術に関する専門知識・技術・技能を備えた人材を育成し、関連する企業や専門研究機関に輩出する

主なミッション

次世代半導体とその応用技術に係る研究者・技術者の育成
  • 研究室活動・共同研究活動を通じた将来の研究者・技術者・博士人材を育成し、連企業や研究機関に輩出
  • 企業や研究機関と協力し、半導体応用技術による社会実装を担う人材を育成
  • 若手研究者・技術者の育成と併せて、研究開発現場を通じたリカレント、リスキリング教育を実践
持続可能な技術革新を支える教育
  • 環境負荷の低減やエネルギー効率向上を考慮した半導体技術の教育を推進
  • 研究指導と並行して、次世代のスマートエレクトロニクス・パワーデバイス・光応用技術の研究開発を支援

Education & Human Development Group

Purpose

To contribute to the realization of a sustainable society by developing human resources who will support the advancement of next-generation semiconductors and their application technologies.

Roles and Functions

To cultivate individuals equipped with specialized knowledge, techniques, and skills in semiconductor electronics and their applications, and to provide this talent to relevant industries and specialized research institutions.

Main Missions

Cultivation of Researchers and Engineers in Next-Generation Semiconductors and Applications
  • Developing future researchers, engineers, and doctoral-level talent through laboratory activities and collaborative research, and placing them in partner companies and research institutions.
  • Collaborating with industry and research organizations to train personnel capable of leading the social implementation of semiconductor application technologies.
  • Implementing recurrent and reskilling education through R&D field experience, alongside the development of early-career researchers and engineers.
Education Supporting Sustainable Technological Innovation
  • Promoting education in semiconductor technology with a focus on reducing environmental impact and improving energy efficiency.
  • Supporting the research and development of next-generation smart electronics, power devices, and optical application technologies in parallel with research mentorship.

staff

スタッフ紹介

スタッフ

staff

江川 孝志Takashi Egawa

特命教授

Adjunct Professor

三好 実人Makoto Miyoshi

教授(センター長)

Professor (Director)

小坂 卓Takashi Kosaka

教授(副センター長)

Professor (Vice Director)

田中 光浩Mitsuhiro Tanaka

客員研究員

Researcher

間瀬 晃Akira Mase

客員研究員

Researcher

渡邉 清美Kiyomi Watanabe

事務補佐員

Administrative Assistant

坂部 祐子Yuko Sakabe

事務補佐員

Administrative Assistant

藤田 紘空Hirotaka Fuzita

技術補佐員

Technical Assistant

システム開発・ビジネス共創グループ

System & Business Co-Creation Group

三好 実人Makoto Miyoshi

教授(センター長)

Professor (Director)

小坂 卓Takashi Kosaka

教授(副センター長)

Professor (Vice Director)

松盛 裕明Hiroaki Matsumori

准教授

Associate Professor

高橋 翔太郎Shotaro Takahashi

助教

Assistant Professor

次世代材料・デバイス研究グループ

Advanced Materials & Device Research Group

三好 実人Makoto Miyoshi

教授(センター長)

Professor (Director)

久保 俊晴Toshiharu Kubo

准教授

Associate Professor

南條 拓真Takuma Nanjo

准教授

Associate Professor

山口 慶太郎Keitaro Yamaguchi

助教

Assistant Professor

教育・人材育成グループ

Education & Human Development Group

三好 実人Makoto Miyoshi

教授(センター長)

Professor (Director)

小坂 卓Takashi Kosaka

教授(副センター長)

Professor (Vice Director)

久保 俊晴Toshiharu Kubo

准教授

Associate Professor

南條 拓真Takuma Nanjo

准教授

Associate Professor

松盛 裕明Hiroaki Matsumori

准教授

Associate Professor

高橋 翔太郎Shotaro Takahashi

助教

Assistant Professor

山口 慶太郎Keitaro Yamaguchi

助教

Assistant Professor

main facilities

主要設備

有機金属気相成長装置

GaN-MOCVD system

  • 研究用MOCVD装置(SR2000, SR4000)

    Research-use MOCVD system(SR2000, SR4000)

成膜・プロセス装置

Fabrication / Processing

  • スピンコーター

    Spin Coater

  • コンタクトマスクアライナ(MJB3, MA6/BA6)

    Contact Mask Aligner(MJB3, MA6/BA6)

  • 電子ビーム蒸着装置

    Electron Beam Evaporation System

  • プラズマアッシング装置

    Plasma Asher

  • 原子層堆積装置

    Atomic Layer Deposition (ALD) System

  • 膜厚・反射率・透過率測定装置

    UV/Vis/NIR Spectrophotometer

評価・解析装置

Characterization / Measurement

  • 走査型電子顕微鏡

    Scanning Electron Microscope (SEM)

  • AFM/KPFM(原子間力顕微鏡/ケルビンプローブ力顕微鏡)

    Atomic Force Microscope (AFM) / Kelvin Probe Force Microscope (KPFM)

  • 分光エリプソメータ

    Spectroscopic Ellipsometer

  • フォトルミネッセンス測定装置

    Photoluminescence (PL) Measurement System

  • ホール効果測定装置

    Hall Effect Measurement System

施設

Facilities

  • クリーンルーム(クラス1000+クラス10000、総床面積374m²)

    Cleanroom (Class 1000 + Class 10000, Total floor area: 374 m²)

大口径・多数枚MOCVD装置(UR25K, UR26K)

UR25K5210, UR26K4210

仕様 (UR26K4210)

炉タイプ
自公転式サセプター
生産能力
8"x6
搬送系
全自動式部品搬送
加熱系
6分割抵抗加熱
水素化物系統
2系統
有機金属系統
10系統(5系統はスペース)
成長圧力
10~100kPa
ウエハサイズ
UR25: 6×7, UR26: 8×6, SR4000: 4×1, SR2000: 2×1

特長

高速成長
GaN成長速度:≧10 µm/h(成長圧力:100 kPa)
AlGaN成長速度:≧5 µm/h(成長圧力:13 kPa)

製造

大陽日酸株式会社

Mass-production type MOCVD system (UR25K, UR26K)

UR25K5210, UR26K4210

Specification (UR26K4210)

Reactor Type
Revolution and rotation susceptor
Throughput
8-inch wafers × 6
Transportation System
Fully automatic parts transportation
Heating
6-zone resistive heater
Hydride System
2 systems
Metal Organic System
10 systems (5 reserved)
Growth Pressure
10–100 kPa
Wafer size :
UR25: 6×7, UR26: 8×6, SR4000: 4×1, SR2000: 2×1

Features

High growth rate
GaN growth rate: ≥10 µm/h (at 100 kPa)
AlGaN growth rate: ≥5 µm/h (at 13 kPa)

Manufacturer

TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION

ドライエッチング装置

NE-550EX 他

仕様

基板サイズ
φ 200 mm
ガス系統
8系統
Ar、O₂、Cl₂、BCl₃、SF₆、CF₄、N₂ ×2
エッチング性能
基板内/基板間の均一性:±5%以内(φ200 mm)

特長

  • 磁場アシストにより他のICP方式より低圧、低電子温度、高密度プラズマが発生でき、イオン性エッチングからラジカル性エッチングまで幅広いプラズマ制御が可能。
  • RF投入窓のデポ物付着防止用「スター電極」を搭載。また加熱機能を有して再現性・安定性重視の装置コンセプト。
  • 高言頼性の搬送ポット、装置構造がシンプルでメンテナンスが容易等研究開発Toolとしての頼性を実現。

製造

株式会社アルバック

Dry Etching System

NE-550EX etc. 

Specification

Substrate Size
φ 200 mm
Gas Lines
8 lines
Ar、O₂、Cl₂、BCl₃、SF₆、CF₄、N₂ ×2
Etching Performance
Uniformity (within wafer / wafer-to-wafer): ±5% max (φ200 mm)

Features

  • Equip with low-pressure, low-electron-temperature and high-density plasma source. Supports wide range of process control from ion etching to radical etching
  • Plasma density and uniformity can be controlled by optimizing magnetic field.
  • Simple configuration makes maintenance easy.

Manufacturer

ULVAC, Inc.

電子ビーム描画装置

JBX-6300DB

特長

  • 高加速(100kV)、高精度(+/-9nm)
  • 高解像(5nm ISO、10nmL&S)
  • 大電流(100A以上、7nmIsO@InA
  • 自動補正機能(露光量・露光位置)

製造

日本電子株式会社

Electron Beam Lithography System

JBX-6300DB

Features

  • High Acc, voltage(100kV),High accuracy(+/-9nm)
  • High resolution(5nm ISO,10nmL&S)
  • High current(more than 100nA, 7nm ISO@1nA)
  • Auto-calibration(dose and drift correction)

Manufacturer

JEOL Ltd.

スパッタ装置

CN-200 他

仕様

基板サイズ
φ200 mm
カソード
4基(DC、RF)
膜厚分布
基板内/基板間の均一性:±5%以内(φ200 mm)
基板加熱
最大 500℃

特長

  • 複数カソードのでの積層/同時スパッタに対応
  • タッチパネルから自動プロセス・レシピス力による省力化運転
  • データロギング可能
  • ロードロック室にカセット機構(オプション)を搭載することで生産性up

製造

株式会社アルバック

Sputtering System

CN-200 etc.

Specification

Substrate Size
φ200 mm
Cathodes
4 (DC, RF)
Film Thickness Uniformity
Uniformity (within wafer / wafer-to-wafer): ±5% max (φ200 mm)
Substrate Heating
Max. 500°C

Features

  • Co-sputtering and Multi-layer deposition using multi cathodes.
  • Capable of automatic substrate transfer by simply loading the substrate on to manipulator in the Load-lock chamber.
  • Capable of Data-Loging
  • Capable of automatic substrate transfer by simply loading the substrate on to manipulator in the Load-lock chamber.

Manufacturer

ULVAC, Inc.

高速ランプアニール装置

RTP-8S

仕様

温度範囲
RT ~ 1000℃(最大 1100℃)
試料寸法
8インチウエハ 1枚
雰囲気
各種ガスパージ中、またはフロー中(N₂、Ar、O₂、H₂)
加熱方式
放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
均熱精度
ΔT = ±1%(900℃保持時、N₂フロー中)
制御センサ
① シース熱電対(JIS“K”)SiCサセプタ接触式
② パイロメータ(非接触式)
最大加熱速度
① 5℃/sec(サセプタ使用時)
② 30℃/sec(パイロメータ使用時)

特長

  • 急速加熱・冷却が可能
  • 様々な雰囲気での加熱が可能
  • コールドウォール構造により重金属汚染なし
  • 温度制御方式を熱電対/パイロメータで切り替え可能
  • タッチパネルによる操作が可能

製造

アルバック理工株式会社

Rapid Thermal Annealing (RTA) System

RTP-8S

Specification

Temperature Range
RT to 1000°C (Max. 1100°C)
Sample Size
One piece of 8-inch wafer
Atmosphere
In various purge gases or under gas flow (N₂, Ar, O₂, H₂)
Heating Method
Single-side heating from the top using an infrared lamp with a parabolic reflector
Thermal Uniformity
ΔT = ±1% at 900°C (under N₂ flow)
Control Sensors
① Sheathed thermocouple (JIS “K”), SiC susceptor contact method
② Pyrometer (non-contact method)
Maximum Heating Rate
① 5°C/sec (using susceptor)
② 30°C/sec (using pyrometer)

Features

  • Enables high-speed heating and cooling
  • Supports heating under various atmospheres
  • Prevents heavy metal contamination by adopting a cold-wall structure
  • Allows switching temperature control between thermocouple and pyrometer
  • Enables operation via touch panel

Manufacturer

ULVAC-RIKO, Inc.

単結晶用X線回折装置

D8DISCOVER-BC 他

仕様

  • 高輝度微小焦点空冷型管球IuS
  • 2結晶モノクロメータ
  • 8インチ対応ウェハステージ
  • 大型1次元PSD VANTEC-1
  • PathFinder(アナライザー結晶、スリット光学系)
  • シンチレーション検出器
  • 試料観察用レーザ/ビデオ頭微鏡システム

特長

D8 DISCOVER は、化合物半導体の測定に対応した薄膜材料評価X線回折装置です。
高輝度微小焦点X線管球、2結晶モノクロメータ、8インチ対応ウェーハステージ、大型1次検出器、高分解能アナライザー結晶モジュールを搭載しており、あらゆる測定に対応します。

製造

Bruker AXS GmbH

Single-crystal X-ray Diffractometer

D8DISCOVER-BC etc.

Specification

  • High-brightness microfocus air-cooled X-ray tube (IµS)
  • Dual-crystal monochromator
  • 8-inch compatible wafer stage
  • Large one-dimensional PSD (VANTEC-1)
  • PathFinder (analyzer crystal and slit optics)
  • Scintillation detector
  • Laser/video microscope system for sample observation

Features

The D8 DISCOVER is an X-ray diffraction system for thin-film material evaluation, designed for the measurement of compound semiconductors.
It is equipped with a high-brightness microfocus X-ray tube, a dual-crystal monochromator, an 8-inch compatible wafer stage, a large one-dimensional detector, and a high-resolution analyzer crystal module, enabling a wide range of measurement applications.

Manufacturer

Bruker AXS GmbH

高精度表面形状測定システム

Dyvoce 3000

仕様

XY測定範囲
300 mm × 300 mm
真直度
≤5 µm
XY最小分解能
1 µm
水平耐荷重
20 kgf
外形寸法
(コントローラ除く)
800 mm × 600 mm × 1110 mm

特長

高精度形状測定システム Dyvoce(ダイボス)3000は、ワークに最適な変位計を用いる非接触形状測定システムです。高精度ステージメーカならではの高い頼性とモーションコントロール技術により、様々な測定を可能にします。

製造

神津精機株式会社

Laser Measurement System

Dyvoce 3000

Specification

XY Measurement Range
300 mm × 300 mm
Straightness
≤5 µm
XY Resolution
1 µm
Load Capacity
20 kgf
Dimensions (except controller)
800 mm × 600 mm × 1110 mm

Features

Laser Measurement System Dyvoce 3000 is the non-contact measurement system with using optimum displacement gauge. Various types of measurement is available, caused by high liability and motion control technic of high-precision stage maker.

Manufacturer

Kohzu Precision Co., Ltd.

ミリ波ネットワークアナライザ

N5247A PNA-X 10MHz-67GHz 4-port Network Analyzer
N5250CCX10 67GHz-110GHz mm wave Test set

特長

  • N5247A PNA-X本体は、4ポート、10MHz~67GHzをカバーし、2つの信号源を内蔵。4ポートまでのパッシブ/アクティブデバイスのSパラメータおよびミックスドSパラメータの測定に対応
  • 67GHzにおいて110dBのシステムダイナミックレンジ、高出力(+10dBm@67GHz)、広いパワー掃引範囲(40dB)
  • ベクトル補正による最大50GHzまでの高精度なNF測定
  • ミリ波テストセットとの組み合わせにより、2ポート/1mm同軸で10MHz~110GHzの連続掃引が可能
  • レシーバレベリング機能により、正確なパワー印加および出力レベルのモニタ・調整が可能
  • 最小16.7nsの時間分解能によるパルスプロファイル測定、パルスドRF測定に対応
  • 内蔵2信号源による相互変調歪(IM)測定が可能

製造

Agilent Technologies Inc, Cascade Microthech Inc

Millimeter-wave Network Analyzer System

N5247A PNA-X 10MHz-67GHz 4-port Network Analyzer N5250CCX10 67GHz-110GHz mm wave Test set

Features

  • The N5247A PNA-X covers 10MHz to 67GHz with up to 4 ports and includes two internal signal sources. It supports S-parameter and mixed S-parameter measurements for passive and active devices
  • 110 dB dynamic range at 67GHz, high output power (+10 dBm at 67GHz), and wide power sweep range (40 dB)
  • High-accuracy noise figure (NF) measurement up to 50GHz using vector correction
  • Continuous sweep from 10MHz to 110GHz in a 2-port/1 mm coaxial configuration when combined with the mmWave test set
  • Accurate power delivery and level monitoring/adjustment using receiver leveling function
  • Pulse profile and pulsed RF measurements with minimum 16.7 ns timing resolution
  • Intermodulation (IM) measurements enabled by dual internal signal sources

Manufacturer

Agilent Technologies Inc, Cascade Microthech Inc

大電流・高耐圧用半導体パラメータアナライザ

B1505A

仕様

対応デバイス
パワー半導体(Si、SiC、GaN など)
最大測定電圧
最大 10 kV
最大測定電流
最大 1500 A
電流測定分解能
サブpAレベル
抵抗測定
μΩレベル
パルス測定
最小 10 µs
測定モジュール
HPSMU、MPSMU、HVSMU など
温度環境
-50℃ ~ 250℃
測定制御
EasyEXPERT ソフトウェア

特長

  • 高電圧対応:高耐圧デバイスの評価が可能
  • 広ダイナミックレンジ:低電流から大電流まで測定可能
  • 高精度測定:微小電流・低抵抗を高精度に測定
  • 高速評価:高速パルス測定による効率的な評価
  • 柔軟な構成:用途に応じたモジュール構成が可能
  • 幅広い用途:開発・特性評価・信頼性試験に対応

製造

KeySight

Semiconductor Parameter Analyzer

B1505A

Specification

Supported Devices
Power semiconductors (Si, SiC, GaN, etc.)
Maximum Measurement Voltage
Up to 10 kV
Maximum Measurement Current
Up to 1500 A
Current Measurement Resolution
Sub-picoampere level
Resistance Measurement
Micro-ohm level
Pulse Measurement
Minimum 10 µs
Measurement Modules
HPSMU, MPSMU, HVSMU, etc.
Temperature Range
-50°C to 250°C
Measurement Control
EasyEXPERT software

Features

  • High voltage capability: Enables evaluation of high-voltage devices
  • Wide dynamic range: Covers measurements from low current to high current
  • High accuracy: Supports precise measurement of ultra-low current and resistance
  • High-speed testing: Enables efficient evaluation with fast pulse measurements
  • Flexible configuration: Modular architecture adaptable to various applications
  • Versatile applications: Suitable for development, characterization, and reliability testing

Manufacturer

KeySight

access

アクセス

〒466-8555 名古屋市昭和区御器所町 名古屋工業大学 次世代半導体エレクトロニクス共創研究センター

TEL:052-735-5583(事務室)

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共同研究・産学連携に関するお問い合わせ

共同研究・受託研究・学術指導などに関するご相談は、名古屋工業大学 産学官金連携機構までお問い合わせください。